Нанесение проводниковой и полупроводниковых пленок этим методом выполняют в вакуумных камерах диодной типа в плазме тлеющего разряда аргона. Основы располагают на анодов, а катод являются источником материала для образования пленки. В камеру вакуумной установки загружают основы и проводят откачки до давления 1 х 10-3 ... 1 х 10-4 Па, затем запускають аргон до давления 1,3 ... 13 Па. В дальнейшем процесс ведут при непрерывной откачке и поступление через набегатель аргона, что обеспечивает заданное давление газа. При подаче на катод-мишень отрицательного потенциала 1,5 ... 4 кВ, относительно заземленного аноды, в камере зажигается тлеющая разряд. Ионы аргона, которые попали в область катодной пространства, бомбардируют катод - поток частиц осаждается на поверхности основы. Процесс останавливается отключением напряжения катод-анод; после охлаждения основы выгружают. Преимуществами катодной распыления являются: низкая температура основы в процессе нанесения пленок; больше, чем при термовакуумном напылении, равномерность пленок по плоскости основания, так как диаметр катода (300 ... 350 мм) существенно больше расстояния катод-основа (30 ... 80 мм); отсутствие инерции (распыления начинается при подаче на электроды напряжения и мгновенно прекращается после ее отключения); отсутствие необходимости частой смены источника частиц; неизменность стехиометрии состава пленки относительно состава катода; высокая адгезия пленки к основанию. Основные недостатки: относительно невысокие скорости осаждения, загрязнение пленок молекулами остаточных газов и более сложное управление техпроцессом в сравнении с термовакуумным напылением.
Категория: Наука |
Добавил: glory
| Рейтинг: 0.0/0 |
