|
 |
|
 |
Главная » Наука
ОБУЧЕНИЕ ДЕТЕЙ ДОШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА ОБУЧЕНИЕ ДЕТЕЙ ДОШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА – это наверное пожалуй самый важный этап на котором, вы можете вложить в ребенка именно то, что вы хотите в итоге получить. Не смотря на то, что ребенок еще почти ничего не знает, но в этом возрасте он впитывает практически всю информацию на лету. Бывали даже случаи, когда дети в 2 года уже читали а в 4 знали несколько языков, в 9 заканчивали среднюю школу, а в16 получали высшее образование, но это также чревато дальнейшими умственными расстройствами. Так вот то, что ребенок впитывает в период дошкольного возраста, обязательно в нем будет провялятся и отражаться на нем в течении всей жизни, пусть и не сразу, но это будет. Поэтому очень внимательно смотрите, что и кто окружает вашего ребенка и какую информацию он получает из вне.
Категория: Наука |
Дата: 15.04.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
Магнетронное распыление – Методы получения тонких пленокЭтот способ появился в результате улучшения вакуумных систем диодной распыления. Его особенностью является наличие в прикатодной области нормальных друг друга кольцевидной электрического и магнитного полей. Такое смешанное электромагнитное поле для эмитированных катодом электронов является ловушкой: под действием электрического поля они направляются в анод, а магнитное поле возвращает их к катода. В результате электроны продвигаются вдоль катода за сложной циклоидальною траектории. Потеряв энергию на ионизацию аргона, электроны начинают продвигаться к аноду диффузионно. В результате увеличения пути электронный в области темного катодной пространства, число ионизаций атомов аргона растет, поэтому газовый разряд может существовать при незначительном давлении. Это позволяет получить пленки, менее загрязненные остаточными газами. Благодаря увеличению концентрации ионов аргона возл
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 3.3/3
|
Высокочастотные распыления – Методы получения тонких пленокПри рассмотрении процесса получения пленок катодной распылением подразумевается, что катод является проводником и находится под постоянным потенциалом и заряд бомбардируя иону нейтрализуется электронной из внешнего круга. В случае когда катод выполнен из диэлектрической или малопроводного материала, проходит накопление положительного заряда, ионы не будут вытягиваться из плазмы, а потому распыления прекратится. Для продолжения процесса распыления необходимо изымать накопленный положительный заряд ионов. На практике это обеспечивают подачей на катод переменного высокочастотного потенциала. Тогда при отрицательном потенциале на катоде проходить распыления, при положительном - нейтрализация накопленного заряда. Процессы накопления и нейтрализации заряда периодически повторяются с частотой 13,56 МГц, что допускается при использовании в промышленном оборудовании. Высокочастотный
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 2.0/1
|
Ионно-плазменное распыление – Методы получения тонких пленокИонно-плазменная распыление происходит при давлении 10-2 Па в плазме дугового разряда. Пленки получают в трех-или чотирьох електродних вакуумных камерах. Термоемисионный катод предназначен для поддержания дугового разряда. Источником частиц материала пленки, которая наносится, есть дополнительный электрод-мишень. Основы располагают напротив мишеней на карусели или барабане. Воздух из камеры откачивают до предельного вакуума, включают ток накаливания катода, после разогрева катода между ним и анодом прикладывают напряжение, и в камеру впускают инертный газ. Между анодом и катодом загорается дуговой разряд. При подаче на мишень или основы небольшого отрицательного потенциала возможно провести их иону очистку. Для нанесения пленки на мишень подается отрицательный по отношению к аноды, потенциал 200 ... 1000 В. Электрическое поле мишени извлекает из плазмы положительны
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
Реактивное катодное распыление - Методы получения тонких пленокВ отличие от физического реактивное катодной распыления происходит в тлеющем разряде смеси инертного и активного газов. Частицы распыленной катода химически взаимодействуют с активным газом или образуют с ним твердые соединение, и новое вещество попадает в основу. Чтобы процесс образования вещества пленки, которая наносится, не проходил на катоде, что очень усложняет горения разряда, применяют смеси аргона с содержанием активных газов не более 10%. Для получения пленок оксидов распыления проводят в плазме аргон-кислород, нитрид - в плазме аргон-азот, карбидов в плазме аргон-угарный газ или аргон-метан. При вводе в камеру различных активных газов, получают пленки различных соединений, которые практически невозможно получить при термовакуумным напылением. Реактивное катодной распыления позволяет не только получить различные по составу пленки, но и контролируемой у
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
Физическое катодное распылениеНанесение проводниковой и полупроводниковых пленок этим методом выполняют в вакуумных камерах диодной типа в плазме тлеющего разряда аргона. Основы располагают на анодов, а катод являются источником материала для образования пленки. В камеру вакуумной установки загружают основы и проводят откачки до давления 1 х 10-3 ... 1 х 10-4 Па, затем запускають аргон до давления 1,3 ... 13 Па. В дальнейшем процесс ведут при непрерывной откачке и поступление через набегатель аргона, что обеспечивает заданное давление газа. При подаче на катод-мишень отрицательного потенциала 1,5 ... 4 кВ, относительно заземленного аноды, в камере зажигается тлеющая разряд. Ионы аргона, которые попали в область катодной пространства, бомбардируют катод - поток частиц осаждается на поверхности основы. Процесс останавливается отключением напряжения катод-анод; после охлаждения основы выгружают. Преимуществами катодной распыления я
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
Распыления ионным бомбардированием - Методы получения тонких пленокОсаждения пленок распылением материала в плазме газового разряда по сравнению с ТВН расширяет возможности получения пленок с заданными свойствами. Распыления позволяет осаждать пленки тугоплавких материалов, сплавов, сложных веществ и материалов с низким давлением паров. Создание потока частиц проходит в результате бомбардировки поверхности мишени ионами аргона, ускоренными до энергий, достаточных для распыления. Материал розпиляеться в виде нейтральных атомов или молекул, около 1% его ионизуеться электронными плазмы. Распыления, в отличие от выпаривания, не зависит от упругости пара вещества которую осаждает. Это позволяет наносить пленки тугоплавких материалов при относительно низких температурах. При получении пленок сплавов в начале розпиляеться в основном компонент с большим коэффициентом распыления, например никель в нихроми. Приток компонента, которого
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
Техника термовакуумного напыления (ТВН)Процесс ТВН выполняется в вакуумных камерах с предельным давлением 1,3х10-4 .... 6,6х10-5 Па. Нагрева вещества выполняют прямым или косвенным способами: путем пропускания электрического тока, токами индукции, электронным бомбардировки. Оснастка вакуумной камеры периодически обчищаеться от наслоений предыдущих напилень. Процесс начинается с загрузки вакуумной камеры: випарюемий материал помещают в тигле, устанавливающих основы и маски. В зависимости от внутренней конструкции камеры выполнения загрузки может отличаться. Затем камеру герметизують и откачивают воздух. При закрытой заслинци основу нагревают до заданной температуры и проводят ионное очистку. Видкачавшы камеру до предельного вакуума открывают заслонки и проводят напыления пленки. После получения заданной толщины пленки процесс напыления прекращают, перекрывая атомарного поток заслонкой. Основу охлаждают и только после этого в кам
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ тонких пленокМетод термовакуумного напыленияМетод основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсации его на поверхности основы, которая имеет температуру ниже температуры источника пара. Процесс термовакуумного напыления можно разделить на четыре этапа: создание пару вещества, распространение пара от источника к основанию, конденсация пара на основе, создание зародышей и роста пленки. Образование пара вещества выполняется путем его испарения или сублимация. Вещество переходит в пар при любой температуре выше абсолютного нуля, но для увеличения интенсивности парообразования вещества проводят ее нагревания. С увеличением температуры повышается средняя кинетическая энергия атомов и вероятность разрывов межатомних связей. Атомы отрываются от поверхности и распространяются в свободном пространстве, образуя пар. Распространение пара от источника к основанию происходит путем ди
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
Особенности, которые необходимо учитывать при создании исследовательского аппаратаПри создании исследовательского аппарата необходимо учитывать особенности планеты, на которую он отправляется и цели, которые надо достигнуть. Основными характеристиками являются: надежность, долговечность, вес, размеры. При создании подобных аппаратов пытаются достигнуть наименьшего веса и размеров. Это объясняется затратами на доставку. Между Землей и Марсом большое расстояние, поэтому каждый килограмм имеет значение. Как правило, аппарат делают на определенный срок, но запас во всех узлах берется в несколько раз больше. Такие меры повышают надежность. Марс намного меньше Земли и поэтому сила притяжения меньше. На Марсе она составляет 2м/с. Следовательно, вес всей конструкции будет в пять раз меньше. Это необходимо учитывать в расчетах связанны
...
Читать дальше »
Категория: Наука |
Дата: 22.02.2009
| Рейтинг: 0.0/0
|
|
|
|
|