Главная » 2009»Февраль»22 » Ионно-плазменное распыление – Методы получения тонких пленок
Ионно-плазменное распыление – Методы получения тонких пленок
19:45
Ионно-плазменное распыление – Методы получения тонких пленок
Ионно-плазменная распыление происходит при давлении 10-2 Па в плазме дугового разряда. Пленки получают в трех-или чотирьох електродних вакуумных камерах. Термоемисионный катод предназначен для поддержания дугового разряда. Источником частиц материала пленки, которая наносится, есть дополнительный электрод-мишень. Основы располагают напротив мишеней на карусели или барабане. Воздух из камеры откачивают до предельного вакуума, включают ток накаливания катода, после разогрева катода между ним и анодом прикладывают напряжение, и в камеру впускают инертный газ. Между анодом и катодом загорается дуговой разряд. При подаче на мишень или основы небольшого отрицательного потенциала возможно провести их иону очистку. Для нанесения пленки на мишень подается отрицательный по отношению к аноды, потенциал 200 ... 1000 В. Электрическое поле мишени извлекает из плазмы положительные ионы и ускоряет их до энергий в сотни электрон-вольт. Начинается распыления и формирования пленки на основах. Ионно-плазменное распыления, в отличие от катодной происходит при более высоком вакууме, поэтому длина свободного пробега и энергия распыленных атомов больше. Благодаря этому загрязнение пленок молекулами остаточных и инертных газов меньше, скорость осаждения пленок большая и достигает нескольких сотен или даже тысяч Ангстрем за минуту. Плотность пленок больше, адгезия к поверхности основ лучшая. Процессом осаждения управлять легче, толщина пленки регулируется потенциалом мишени и время распыления. Метод ионно-вакуумного распыления позволяет проводить большое количество процессов осаждения пленок без изменения мишени, что обеспечивает воспроизводимость свойств пленок. Недостатком ионно-плазменного распыления являются: ограниченные возможности реактивного распыления через малый срок службы термокатоду в присутствии активных газов, катод является дополнительным источником загрязнения; сравнению сложность устройства и эксплуатации оборудования. Ионно-плазменная распыления широко применяется для изготовления пленочных пассивных элементов, получение маскируя пленок на полупроводниковых пластинах, осаждения полупроводниковых слоев и магнитных пленок.
Категория: Наука |
Добавил: glory
| Рейтинг: 0.0/0 |